삼성전자, 엔비디아 GTC서 ‘HBM4E’ 최초 공개

삼성전자가 3월 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션 공급 역량을 선보이며 글로벌 AI 리더십 강화에 나섰다.

삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 통해 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다. 또한 ‘Nvidia Gallery’를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다. 이와 함께 AI Factories, Local AI, Physical AI 등 세 개의 존을 구성해 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처를 소개했다.

특히 삼성전자는 1c D램 공정과 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 개발 중인 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 부문 내 모든 역량을 결집해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 또한 기존 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 영상을 통해 공개하며 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

삼성전자는 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 전 세계 유일한 메모리 토털 솔루션 기업임을 부각했다. ‘Nvidia Gallery’에서는 Rubin GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2, 스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시했다. 업계 최초로 양산 출하를 시작한 SOCAMM2와 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 현장에서 시연을 통해 업계 최고 수준의 성능을 입증했다.

더불어 삼성전자는 Vera Rubin 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다. 행사 둘째 날인 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 특별 초청 발표자로 나서 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시하며 양사의 협력이 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다.